控制下針(ＡnＭ)栽培法是我國著名花生專家、萊陽農學院教授沈毓駿研究發明的一項花生栽培新技術。該技術是通過控制花生下胚軸的曝光時間和植株基部的大氣濕度，促進內源激素乙烯的產生，從而控制下胚軸的伸長和果針的入土時間，減少過熟果和空秕果，達到果多果飽、優質高產之目的。采用控制下針栽培法種植的花生，出苗齊，生長壯，第一對側技發育快，下針集中，結果整齊，成熟一致，一般增產20％左右，高者可達35％以上，而且省工省力，適于機械化操作，是花生栽培技術上的一項重大突破。其技術要點： 

　　1、Ａ環節 主要是通過培土，引升子葉節，使其露出地面(或地膜)，以便控制早期花下針。采用露地栽培的花生，播種后改扶平頂為尖形頂(其橫斷面很像一個大寫字母“Ａ”)；平地播種時，則在播種后將播行扶成尖形頂的粗壟。壟頂距種子約為8厘米，在下胚軸長約3—4厘米時(一般在播后10天左右)，撤去壟頂上的浮土，僅在子葉上面保留1厘米厚的薄土層。撤土時可用鐵筢子背或立著手掌進行，熟練后也可使用其它器具。撤土的具體時間，最好在下午3—4時，此時，由于芽苗在土內尚未曝光，下胚軸繼續伸，一般到第二天清晨子葉節即可升出地面(出苗前的撤土實際取代了常規栽培中出苗后的清棵)。平播的細沙地，在花生出苗頂土出現細小裂縫時，以鋤推抹播行，彌合裂縫，防止芽苗過早曝光，也能起到引升子葉節位作用。個別已短時曝光的芽苗，彌合裂縫后重又處于黑暗環境，下胚軸在一定范圍內仍能恢得伸長，繼續升高子葉節位。采用地膜覆蓋栽培的花生，改常規栽培中的起壟筑畦覆膜為平地覆膜成畦，播種后在地膜表面的播種穴上，覆以5厘米高的錐形土堆，以延遲芽苗曝光時間，促使胚莖繼續伸長，待子葉節自行升出膜面后，再把小土堆撤回畦溝內；若在子葉節升出膜面前遇雨而使土堆結塊，應及時采取措施，消除土堆上的裂縫，防止芽苗過早曝光。花生出苗后，只要田間基本無草，表土也不板結，一般不進行中耕；需要中耕時，可采用退行深鋤壟溝的辦法，鋤只前拉不推抹，更不能破壟，以利側根深扎。出苗不全的地塊，可就近移苗補栽。移栽時開深穴，并使移栽苗的子葉節高出地面，然后填細土至下胚軸長度的一半，澆兩遍水，水滲下后再填土封穴，一般經5天左右即可緩苗，比補種效果好。 

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